1、存储芯片明年下半年可能出现短缺？

半导体产业是强周期、成长性两大特征都很明显的典型行业，大致上遵循4到5年完成一轮盛衰转换的规律，从谷到峰的上行周期通常1-3年时间，从峰到谷的下行周期通常1-2年时间，牛长熊短。

从近10年来DRAM、NAND Flash存储芯片价格起伏规律来看，本轮下行周期已经持续了一年半，根据牛长熊短的周期分布和DRAM、NAND Flash近日调涨的价格信号，当前可能已经处于下行尾部重拾升势的酝酿阶段。

风口金选|存储芯片大涨黑夜将过？哪些环节值得重点关注？

据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格。

事实上，仅仅在上半年，三星、SK海力士、美光三大巨头在存储芯片领域的亏损已经高达千亿美元，如此巨额亏损迫使它们不得不采取措施，不断提价无疑就是悬崖勒马的自救之举，否则前几年的利润积累有可能在短时间内消耗殆尽。

作为市占率第一的存储制造商，今年以来，三星一直奉行减产保价战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。

如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。

值得一提的是，三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。

10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价。

2、哪些环节有望斩获超额收益？

面对国际巨头不断调涨价格，国内厂商又将采取何种策略应对形势变化，是跟随路线还是按兵不动？

有观点认为，国内存储芯片制造商如长江存储，可以趁机通过低价拓展客户，抢占市场份额，但实际上，长江存储的产能相对较小，无法满足大规模市场需求。在存储芯片市场，三星、SK海力士、美光这三大厂商合计占据全球80%以上的市场份额，据2023年第一季度的数据显示，长江存储的市场份额还不到4%。

因此，存储芯片市场涨价将会成为主旋律，从行业供给端来看，中信证券(600030)预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。

结合周期和供需的角度来看，随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势，存储模组、存储芯片设计、存储配套芯片环节存在值得布局的投资机遇。

此外，DRAM及NAND Flash价格往往作为代理跟踪半导体景气度的先行指标，如歌产业整体回暖，从复苏节奏看，半导体一般自下而上复苏，首先是下游终端需求发力，继而传导至中游的芯片设计、封测公司和晶圆厂，最终影响到上游的设备材料，因此，顺周期的封测、制造以及国产替代驱动的半导体设备、半导体材料均值得密切关注。

（责任编辑：李显杰 ）